集成电路安全迁移分析

检测项目

1.金属元素迁移分析：铅迁移量，镉迁移量，汞迁移量，铬迁移量，镍迁移量，铜迁移量，银迁移量。

2.卤素残留迁移分析：氯含量迁移，溴含量迁移，含卤残留析出，离子型卤素释放，表面卤素污染迁移。

3.有机挥发物迁移分析：挥发性有机物释放，半挥发性有机物析出，残留溶剂迁移，小分子有机物释放，热作用下有机物迁移。

4.离子污染迁移分析：钠离子迁移，钾离子迁移，氯离子迁移，硫酸根迁移，硝酸根迁移，铵根残留迁移。

5.封装材料析出分析：环氧组分析出，固化残留迁移，增塑组分析出，填料表面释放物，封装界面低分子迁移。

6.焊接相关迁移分析：焊料金属扩散，助焊残留迁移，焊盘表面污染迁移，焊接后离子残留释放，高温下焊接界面元素迁移。

7.表面污染物迁移分析：颗粒污染迁移，油污残留扩散，清洗剂残留迁移，指印污染物扩散，表面吸附物释放。

8.热环境迁移分析：高温储存迁移，热循环诱导迁移，温湿作用下离子迁移，局部过热析出，长期热老化释放。

9.湿热环境迁移分析：吸湿后物质迁移，冷凝条件下离子扩散，湿热腐蚀产物迁移，界面水解产物析出，潮湿环境污染物释放。

10.电场作用迁移分析：电迁移行为，导体间离子迁移，偏压条件下金属扩散，漏电相关污染迁移，枝晶形成倾向分析。

11.界面扩散分析：芯片与基板界面扩散，金属层间元素迁移，钝化层下物质扩散，粘接层成分迁移，涂覆层界面析出。

12.可靠性相关迁移分析：老化后析出物分析，失效部位迁移源识别，开裂区域污染迁移，腐蚀诱导迁移，寿命过程中的成分变化。

检测范围

集成电路芯片、晶圆、封装芯片、塑封器件、陶瓷封装器件、引线框架、焊球、焊料、键合线、芯片粘接材料、封装树脂、底部填充材料、基板、载板、保护涂层、清洗后器件、老化后器件、失效样品、存储样品、制程中间样品

检测设备

1.气相色谱仪：用于分离和测定挥发性有机物及残留溶剂，适用于迁移析出物的定性与定量分析。

2.液相色谱仪：用于检测不易挥发的有机迁移物和添加剂残留，适合复杂基体中目标物分析。

3.电感耦合等离子体发射光谱仪：用于测定多种金属元素含量及迁移水平，适用于痕量无机成分分析。

4.离子色谱仪：用于检测阴离子和阳离子污染物，常用于表面离子残留与迁移行为测试。

5.红外光谱仪：用于识别封装材料和析出物中的官能团组成，可辅助判断有机迁移来源。

6.热重分析仪：用于测试材料受热过程中的失重与挥发特征，可分析热作用下迁移和析出倾向。

7.差示扫描量热仪：用于研究材料热转变行为，辅助分析封装材料稳定性及迁移相关热特性。

8.扫描电子显微镜：用于观察表面形貌、腐蚀痕迹和迁移产物分布，适用于微区形貌分析。

9.能谱分析仪：用于对微区元素组成进行分析，可辅助识别迁移路径和异常元素来源。

10.恒温恒湿试验设备：用于模拟温湿环境对器件迁移行为的影响，支持湿热条件下的加速暴露分析。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.